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Toshiba développe une bande passante supérieure FeRAM

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Anonim

Toshiba a développé une version plus puissante de sa FeRAM (Ferroelectric RAM) qui peut envoyer et recevoir des données à huit fois la vitesse de son prototype précédemment détaillé.

FeRAM est un type de mémoire relativement nouveau qui combine la vitesse des puces DRAM, qui sont le plus souvent utilisées comme mémoire principale dans les ordinateurs et la capacité de conserver les données lorsque l'alimentation est coupée, comme les puces de mémoire flash utilisées dans les téléphones cellulaires, les appareils photo et autres gadgets.

La nouvelle puce, qui sera détaillée lors de la Conférence internationale sur les circuits solides (ISSCC) de cette semaine à San Francisco, a une capacité de 16 Mo et une lecture / écriture vitesse de 1,6 Go par seconde. Toshiba a détaillé son progrès FeRAM en 2006 avec une puce de 4 Mo qui permettait de gérer un transfert de données de 200MBps.

La puce qui sera dévoilée à l'ISSCC cette semaine est la dernière d'une série de prototypes de la société la commercialisation de la technologie. La société n'a aucun plan concret pour commencer à produire en série les puces et affirme que le prix reste l'un des plus gros obstacles.

Les applications cibles incluent la mémoire cache sur puce dans les semi-conducteurs. Alors qu'il prend en charge la lecture et l'écriture rapides et peut conserver son contenu même lorsqu'il est éteint, la capacité totale de la puce, à 16 Mo, est bien inférieure à celle d'une puce de mémoire flash conventionnelle.