Climatiseur Mural réversible "Essentiel MSZ-HJ" de Mitsubishi Electric
Les deux principaux fabricants de puces de mémoire flash NAND au monde se sont engagés à développer une mémoire flash NAND DDR (Double Data Rate) avec une interface de 400 mégabits par seconde, qui est plus rapide que le 133Mbps sur une spécification antérieure pour la technologie et dix fois plus rapide que l'interface 40Mbps trouvé sur les puces flash NAND traditionnelles.
La technologie, appelée DDR à bascule, est également un concurrent de l'ONFI (Open NAND Flash Interface) soutenu par Intel, Micron Technology a sd SanDisk. Les deux technologies sont destinées à des produits de haute performance tels que les SSD, que les backanders NAND remplaceront peut-être un jour.
ONFI peut fournir des débits de 166Mbps et 200Mbps, selon les informations du site ONFI.
"Les deux implémentations visent des niveaux de performance similaires", a déclaré Gregory Wong, PDG du chercheur de l'industrie Forward Insights. "ONFI a une longueur d'avance car il a été établi plus tôt, mais le mode DDR bascule est un peu plus compatible avec l'interface asynchrone standard."
Il dit que le taux d'adoption des deux technologies sera influencé par l'offre et Toshiba fournit près de 70% du marché de la mémoire flash NAND, ils peuvent tirer parti de leur leadership pour augmenter l'adoption du mode DDR bascule.
Jim Handy, analyste chez Objective Analysis, a déclaré que les interfaces plus rapides pour les puces NAND sont importantes. utilisation croissante pour le traitement des données, et pas seulement de la musique, des photos, des vidéos et des clés USB.
Dans un communiqué de presse, les entreprises espèrent que l'adoption de smartphones, tablettes et SSD une gamme plus large de puces NAND haute performance, et que les améliorations continues de vitesse conduiront à la création de nouveaux produits basés sur une mémoire flash NAND.
Samsung a présenté le mois dernier un des premiers SSD utilisant le flash DDR NAND à bascule mémoire, un périphérique de 512 Go avec une vitesse de lecture maximale de 250 Mégaoctets par seconde (Mbps) et une vitesse d'écriture séquentielle de 220 Mbit / s.
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